以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表的第三代半導體是支撐新一代移動(dòng)通信、新能源汽車(chē)、高速軌道列車(chē)、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng )新發(fā)展和轉型升級的重點(diǎn)核心材料和電子元器件，已成為推動(dòng)諸多產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新升級的重要引擎，并被寫(xiě)入國家“十四五”規劃“科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)”列表。
近日，保利華信旗下長(cháng)飛公司投資企業(yè)長(cháng)飛先進(jìn)半導體的研發(fā)生產(chǎn)基地落戶(hù)“武漢·中國光谷”，為進(jìn)一步落實(shí)國家“十四五”規劃，加快建設第三代半導體產(chǎn)業(yè)、推動(dòng)原創(chuàng )性引領(lǐng)性科技攻關(guān)貢獻出“芯”力量。湖北省委常委、武漢市委書(shū)記郭元強，武漢市委副書(shū)記、市長(cháng)程用文與保利華信黨委書(shū)記、董事、總經(jīng)理，長(cháng)飛公司黨委書(shū)記、董事長(cháng)馬杰一行參與見(jiàn)證了項目簽約儀式。
本次簽約的第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地總投資預計超過(guò)200億元，將有效助力武漢打造國內化合物半導體產(chǎn)業(yè)高地。其中總投資約100億元的項目一期已于近期啟動(dòng)，預計2025年完成建設。項目建成后將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地，年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等，推動(dòng)長(cháng)飛先進(jìn)半導體成為中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)頭羊，競逐國際市場(chǎng)。
作為保利集團旗下信息科技板塊的“排頭兵”，保利華信始終以國家戰略需求為導向，以科技創(chuàng )新為己任，不斷拓展新增長(cháng)動(dòng)能和發(fā)展路徑，為加快建設網(wǎng)絡(luò )強國、數字中國貢獻力量。成員企業(yè)長(cháng)飛公司是全球最大的光纖預制棒、光纖和光纜供應商，行業(yè)首家“A+H”上市企業(yè)。近年來(lái)，長(cháng)飛針對性布局戰略性多元化業(yè)務(wù)，圍繞“卡脖子”技術(shù)，持續加大投入、攻堅克難。長(cháng)飛先進(jìn)半導體是長(cháng)飛在第三代半導體領(lǐng)域深度布局的重要舉措，也是長(cháng)飛光纖近年來(lái)成功實(shí)施多元化戰略及戰略轉型的代表體現。長(cháng)飛先進(jìn)半導體專(zhuān)注于碳化硅（SiC）功率半導體產(chǎn)品研發(fā)及制造，擁有國內一流的產(chǎn)線(xiàn)設備和先進(jìn)的配套系統，具備從外延生長(cháng)、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。
未來(lái)，保利華信將進(jìn)一步深化央地合作，加大核心技術(shù)攻關(guān)力度，加快推進(jìn)長(cháng)飛先進(jìn)半導體武漢基地項目建設，為推動(dòng)產(chǎn)業(yè)轉型升級和經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展作出更大貢獻。